일반기술

반도체 소자내의 불순물 농도 분포 측정시스템 및 측정방법

본 발명에 따른 반도체 소자내의 불순물 농도분포 측정시스템은 주사탐침현미경(100), 상기 주사탐침현미경의 일부 구성요소로서, 통전이 가능하도록 고경도의 전도성 박막이 적층되어 있는 실리콘 탐침(10), 상기 실리콘 탐침(10)의 외팔보(11)에 연결되어 교류전류를 공급하며, 상기 실리콘 탐침(10)과 반도체 소자 샘플간의 접점에서 발생하는 열전전압 신호를 분리하는 록인 증폭기(200), 상기 반도체 소자 샘플의 하부에 연결되어 통전이 되도록 하는 반도체 샘플 고정부(300),상기 반도체 샘플 고정부(300)에 연결되어 신호측정시 구동전압을 제거하는 가변저항기(400), 및 상기 가변저항기(400)에 연결되어 탐침이 반도체 샘플 표면을 주사하는 동안 전류의 크기를 일정하게 유지시키는 부가저항(500)을 구비하는 것을 특징으로 하며, 대기중에서 작동이 가능한 접촉식 측정방법으로서 접촉면적이 감소함에 따라 분해능 및 측정감도가 향상되는 나노스케일의 공간 분해능을 가지고, 비파괴적인 측정시스템으로서, 도핑되는 불순물이 n형인지 p형인지를 신속히 판별할 수 있을뿐만 아니라, 지면형상과 불순물의 농도를 동시에 측정할 수 있다는 장점이 있다.본 발명에 따른 반도체 소자내의 불순물 농도분포 측정시스템은 대기중에서 작동이 가능한 접촉식 측정방법으로서 접촉면적이 감소함에 따라 분해능 및 측정감도가 향상되는 나노스케일의 공간 분해능을 가지며 비파괴적인 측정시스템이라는 장점이 있고, 도핑되는 불순물이 n형인지 p형인지를 신속히 판별할 수 있을뿐만 아니라, 지면형상과 불순물의 농도를 동시에 측정할 수 있다.본 발명에 따른 반도체 소자내의 불순물 농도분포 측정시스템은 대기중에서 작동이 가능한 접촉식 측정방법으로서 접촉면적이 감소함에 따라 분해능 및 측정감도가 향상되는 나노스케일의 공간 분해능을 가지며 비파괴적인 측정시스템이라는 장점이 있고, 도핑되는 불순물이 n형인지 p형인지를 신속히 판별할 수 있을뿐만 아니라, 지면형상과 불순물의 농도를 동시에 측정할 수 있다.