일반기술

자기 기록 장치

본 발명은 자기 기록 장치에 관한 것으로서 보다 상세하게는 정보 기록용 자기 기록 장치에 있어서 정보 저장 수단으로사용되는 FePt 박막에 Zr을 첨가하여 정보 저장 밀도를 높인 정보기록용 자기 기록 장치의 재료에 관한 것이다. 정보를 기록하는 정보 기록 수단 및 상기 정보 기록 수단에 의해 정보가 자기적으로 기록되는 정보 저장 수단으로 이루어진자기 기록 장치에 있어서, 상기 정보 저장 수단은 FePt-Zr 박막층을 포함한 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치를 제공하여, 종래의 FePt를 사용한 경우와 비교하여 높은 보자력의 작은 결정립 크기를 지닌 정보 저장 매체를 얻을 수 있으며, 따라서 정보 저장 매체에 있어서 정보 저장 밀도 및 S/N 비를 크게 향상시킬 수 있다.본 발명에 의하여 다음과 같은 효과를 얻을 수 있었다.첫째, FePt 박막에 Zr의 첨가는 비규칙 Fcc FePt 구조에서 규칙화된 Fct FePt 구조로의 상변화를 촉진시켰으며 Zr의첨가량이 증가할 수록 상변화 속도는 더욱 증가하였다. 따라서 FePt 보다 더 빠른 시간에 규칙화된 상을 얻을 수 있었으며, Zr이 약 3 at.% 첨가되었을 때 약 7000 Oe이상의 보자력을 얻을 수 있었다. 이는 Zr의 첨가로 인하여 박막내에형성된 결함들이 규칙화된 FePt 상의 핵생성 소스로 작용하여 더욱 빠른 상변화를 유도하는 것으로 사료된다.둘째, FePt 박막에 Zr의 첨가는 초기에 규칙화상으로의 상변화를 촉진시켰으나 임계시간이상의 열처리는 다시 규칙화상의 소멸을 나타낸다. 이는 Zr이 Fe 또는 Pt와의 임계이상의 열에너지에 의하여 화학반응을 일으키게 되어 규칙화상을 이루는 조성범위를 벗어나는 것으로 사료된다. Pt의 함량이 많은 경우에 규칙화상으로의 상변화가 이루어지면 규칙상의 소멸현상이 느린 것으로 보아 Zr은 Pt와의 화학적 결합을 하는 것으로 판단된다. 또한, Pt의 함량이 높아질수록(110)방향으로의 우선 배향성이 나타난다.마지막으로 FePt 박막에 Zr의 첨가는 규칙회된 Fct FePt 구조로의 상변화를 위한 열처리시에 결정립의 성장을 억제하였다. Zr의 첨가량이 많을수록 결정립의 성장속도가 더욱 지체되었으며 보다 작은 결정립을 가졌다. 7146 Oe의 보자력을 가졌던 3at%의 Zr이 첨가된 시편은 약 6 nm의 작은 결정립을 가졌으며 Zr이 첨가되지 않은 시편은 약 7000 Oe정도의 보자력을 나타낼 때, 약 30 nm이상의 매우 큰 결정립을 나타낸다.따라서, 종래의 FePt를 사용한 경우와 비교하여 높은 보자력의 작은 결정립 크기를 지닌 정보 저장 매체를 얻을 수 있었으며, 이에 의하여, 정보 저장 매체에 있어서 정보 저장 밀도 및 S/N 비(signal to noise ratio : 신호대 잡음비)를크게 향상시킬 수 있다.