일반기술

중성자 핵전환 도핑공정을 이용한 반도체 나노물질도핑방법

본 발명은 중성자 핵전환(Transmutation) 도핑(doping) 공정을 이용하여 반도체 나노선에 중성자를 조사하여 불순물로 작용하는 원자들을 생성하는 방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 반도체 나노선을 성장시키는 성장과정; 반도체 나노선에 중성자를 조사하여 상기 반도체 나노선 내부에 존재하는 원자들에 변환을 주는 핵전환공정을 이용하여 상기 반도체 나노선을 도핑하는 도핑과정; 및 상기 중성자가 도핑된 반도체 나노선을 열처리하는 열처리과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.상기와 같은 구성 및 작용 그리고 바람직한 실시예를 가지는 본 발명은 중성자 핵전환(Transmutation) 도핑(doping) 공정을 이용하여 반도체 나노선에 중성자를 조사하여 불순물로 작용하는 원자들을 생성하여 반도체 나노선에 불순물이 균일하게 도핑될 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 반도체 나노선에 중성자를 조사하여 도핑한 후에 반도체 물질을 열처리를 하여 반도체 나노선에 불순물이 균일하고 일정하게 도핑되도록 하는 효과를 달성한다.또한, 본 발명은 도핑한 반도체 나노소자를 열처리함으로써 빠른 중성자에 의해서 발생된 데미지를 제거해 줄뿐만 아니라 열중성자에 의해 발생된 원치 않는 효과도 제거할 수 있도록 하는 효과를 달성한다.또한, 본 발명은 반도체 나노선에 중성자 핵전환 도핑을 이용하여 불순물을 치환하는 방법을 이용하는 것으로 나노선을 나노소자로서의 응용 가능하도록 하여 나노소자에 대한 연구가 산업화에 이용될 수 있도록 하는 효과를 달성한다.또한, 본 발명은 중성자의 조사시간을 조절하여 원하는 농도의 불순물 도핑이 가능하도록 하여 나노소자로서의 이용효과를 향상시킬 수 있도록 하는 효과를 달성한다.또한, 본 발명은 열처리를 이용하여 도핑된 불순물이 구성원자 사이에 자리잡게 하여 균일하게 도핑되도록 하는 효과를 달성한다.