일반기술

횡형 트렌치 전극 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터

본 발명은 항복전압을 높임과 동시에 래칭 전류 밀도를 그대로 유지하면서 스냅-백 현상이 거의 없는 트렌치 전극 구조의 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터에 관한 것으로 산화막으로 형성된 p형 기판 상부에 n- 드리프트 층 영역을형성하고 각각의 캐소드 전극, 게이트 전극, 애노드 전극을 트렌치 형 구조로 형성함으로써 스냅-백 현상이 거의 없고2차적으로 발생하는 기생사이리스터에 의한 래치 업이 늦게 발생하여 기존의 소자에 비해 넓은 안전동작영역을 갖고기존의 범용 수평형 에미터 스위치 사이리스터와 달리 높은 내압을 유지하고 전력반도체 산업의 스마트 파워 직접회로로 제작된 소자를 IC에 응용하여 시스템을 소형화할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명 횡형 트랜치 전극 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터는 소자의 응용에 많은 문제점을 야기시키는 스냅 백 현상을 거의 보이지 않는 효과가 있고, 기생사이리스터에 의한 래치 업이 늦게 발생하여기존의 소자에 비해 넓은 안전동작영역을 갖고 있는 효과가 있으며, 기존의 범용 수평형 에미터 스위치 사이리스터와는 달리 180V의 높은 내압을 유지하고 있어 전력 반도체 산업의 스마트 파워 집적회로화로 제작된 소자를 IC에 응용하여 시스템을 소형화할 수 있는 효과가 있으므로 반도체산업상 매우 뛰어난 발명인 것이다.