일반기술

박막트랜지스터의 제조방법

본 발명은 P채널 트랜지스터와 N채널 트랜지스터를 함께 구비하여 사용하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 액정표시장치의 N채널 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로서, 보조막을 이용하여 게이트막을 등방성 식각하여 게이트 보조막보다 게이트막이 좁게 패턴을 형성하며 이온주입하여 소오스영역 및 드레인영역을 형성한 후 열처리함으로써 활성층을 완벽하게 결정화하여 소오스영역과 드레인영역과 채널영역과의 접합부에 불순물 농도가 낮게 주입된 LDD 공정을배제하였으며 특히 부분 비정질화로 인해 발생한 소자 특성 저하에 대한 문제를 개선하는 데 뛰어난 효과가 있다.이상과 같이 본 발명은 도면을 통하여 설명한 바와 같이, 본 발명은 P채널 트랜지스터와 N채널 트랜지스터를 함께 구비하여 사용하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 액정표시 장치의 N채널 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로서, 보조막을 이용하여 게이트막을 등방성 식각하여 게이트 보조막보다 게이트막이 좁게 패턴을 형성하며, 이온주입하여 소오스영역 및 드레인영역을 형성한 후 열처리함으로써 활성층을 완벽하게 결정화하여 소오스영역과 드레인영역과 채널영역과의 접합부에 불순물 농도가 낮게 주입된 LDD 공정을 배제하였으며, 특히 부분 비정질화로 인해 발생한 소자 특성 저하에 대한 문제를 개선하는 데 뛰어난 효과가 있으므로 반도체 산업상 매우 유용한 발명인 것이