일반기술

실린더형 게이트를 갖는 나노-라인 반도체 소자 및 그제조방법

실린더형 게이트를 갖는 나노-라인 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 희생 물질막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 희생 물질막을 갖는 기판 상에 반도체 특성을 갖는 적어도 하나의 나노 라인을 형성한다. 상기 나노라인을 갖는 기판 상에 상기 나노 라인을 가로지르며 상기 희생 물질막 상부로 연장된 마스크 패턴을 형성한다. 상기 마스크 패턴을 갖는 기판 상에 상기 마스크 패턴을 사이에 두고 서로 이격되며 상기 마스크 패턴 양옆의 상기 나노 라인과 접촉하는 소스 및 드레인 전극들을 형성한다. 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴 하부의 상기 희생 물질막을 차례로 제거하여 상기 소스 및 드레인 전극들 사이에 위치하는 상기 나노 라인을 노출시키는 개구부를 형성한다. 상기 개구부를 갖는 기판 상에 상기 나노 라인의 채널 영역을 둘러싸는 게이트 전극을 형성한다.본 발명에 따르면, 실린더형 게이트를 갖고 나노 라인을 채널로 이용하는 트랜지스터를 제공할 수 있다. 또한, 트랜지스터를 소형화시킬 수 있다. 더 나아가서, 소스 및 드레인 전극들이 상기 나노 라인을 둘러싸도록 형성할 수 있기 때문에 소스 및 드레인 전극들과 나노 라인 사이의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 그 결과, 트랜지스터의 소스/드레인 접촉저항 특성을 개선시킬 수 있다. 따라서, 이와 같은 트랜지스터들로 이루어진 반도체 소자의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 고집적화된 반도체소자를 제조할 수 있다.