일반기술

상지층을 포함하는 자기 저항 소자

본 발명은 상지층의 두께를 한정한 자기 저항 소자에 관한 것이다. 자기 저항 구조체를 포함하는 자기 저항 소자에 있어서,상기 자기 저항 구조체의 반강자성층 상에 형성되며 5nm 이하, 가장 바람직하게는 0.5 내지 2nm의 두께를 가지는 상지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 소자를 제공한다. 이에 따르면 고온 공정에서의 발생할 수 있는 자기 저항 구조체 내부의 Mn 원소 등의 확산을 효과적으로 방지함으로써 MR 비 등의 소자 특성치의 저하를 방지할 수 있다.본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 자기 저항 소자의 제조시 고온 공정을 거치거나, 사용 환경이고온이 되더라도 자기 저항비 등의 자기 저항 소자의 주요 특성치의 변화가 없는 안정된 구조를 지니며, 다양한 자기 저항소자에 응용할 수 있는 자기 저항 소자 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 자기저항소자는, 저기 저항 구조체 상에 5nm 이하의 두께로 형성된 상지층을형성시킴으로써, 고온 공정에서의 발생할 수 있는 자기 저항 구조체 내부의 Mn 원소 등의 확산을 효과적으로 방지함으로써 MR 비 등의 소자 특성치의 저하를 방지하여, 우수한 성능을 유지할 수 있는 자기 저항 소자를 제공할 수 있다.