일반기술

ＲＦ 플라즈마를 이용하여 이산화규소 나노 입자상에 이산화세륨을 박막증착시키는 방법 및 이로부터 제조된 연마입자

본 발명은 RF 플라즈마를 이용하여 이산화규소(SiO2) 나노 입자상에 이산화세륨(CeO2)을 박막증착시키는 방법에 관한 것으로, SiO2 나노 입자를 제조하고 CeO 2 전구체를 제조한 후 상기 SiO2 나노 입자와 CeO2 전구체에 RF 플라즈마를 처리하여 CeO2이 코팅된 즉 박막증착된 SiO2 입자를 합성한 후 SEM 이미지를 찍어 RF 플라즈마에 의한 CeO2 박막 증착을 확인하고 CeO2 박막 증착 전/후 pH에 따른 제타포텐셜을 비교하여 SiO2 입자가 그의 표면 특성을 잃고 CeO2의 표면 화학적특성을 얻게 되었음을 확인함으로써 SiO2의 물리적 특성과 CeO2의 화학적 표면 특성을 이용할 수 있는 CMP(ChemicalMechanical Polishing)용 연마입자를 제공하는 매우 뛰어난 효과가 있다.본 발명의 상기 목적은 SiO2 나노 입자를 합성하고 상기에서 제조된 SiO2 나노 입자를 분석한 뒤 CeO2 전구체를 합성한다음 상기에서 제조된 CeO2 전구체를 분석하고 RF 플라즈마를 이용하여 CeO2이 코팅된 즉 박막증착된 SiO2 입자를 합성한 후 SEM 이미지를 찍어 RF 플라즈마에 의한 CeO2 박막 증착을 확인하고 CeO2 박막 증착 전/후 pH에 따른 제타포텐셜을 비교하여 SiO2 입자가 그의 표면 특성을 잃고 CeO2의 표면 화학적 특성을 얻게 되었음을 확인함으로써 달성하였다.