일반기술

격리된 전기소자들간의 신호 통로를 위한 에어브릿지 형성방법

본 발명은 초고주파 집적회로의 전력용 GaAs MESFET(metal-semiconductor field effect trasistor) 및 수동소자에서 격리된 전극을 상호 연결하기 위한 에어브리지(air-bridge) 제조 방법에 관한 것으로 형성된 소자 패턴에서 구조상 발생하는 기생 캐패시턴스를 작게하여 소자의 주파수의 특성을 개선하기 하기 위한 소오스간의 전기적인 연결 장치의 갭에 에어를 채워넣는 에어브리지 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 초고주파 집적회로의 전력용 GaAs MESFET(metal-semiconductor field effect trasistor) 및 수동소자에서 격리된 전극을 상호 연결하기 위한 에어브리지(air-bridge) 제조 방법에 관한 것으로 형성된 소자 패턴에서 구조상 발생하는 기생 캐패시턴스를 작게하여 소자의 주파수의 특성을 개선하기 하기 위한 소오스간의 전기적인 연결 장치의 갭에 에어를 채워넣는 에어브리지 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 또 다른 목적은 격리된 소오스 상호간을 전기적으로 접속시키는 금속층 간의 거리를 크게 하기 위하여 상기 금속층이 아아치형으로 되는 에어브리지를 제공하는 것이다.상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 에어브리지 제조 방법은 에어 브리지용 포스트를 형성하는 공정, 금속 박막 형성 공정, 표면 포토 레지스트를 리소그라피하는 공정, 금속박막을 리프트-오프에 용이하도록 에칭하는 공정, 에어브리지용 금속을 증착하고 리프트-오프하는 공정등으로 구성된다.