일반기술

강유전 반도체를 기반으로 한 금속-반도체 전계효과 트랜지스터

본 발명은 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에서 반절연성 GaAs기판 대신 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe, CdFeSe와 같은 2-6족 화합물의 강유전 반도체를 기반 물질로 사용하여 쇼트키 배리어를 통해 금속과 접합시키면 공핍층이 자발 분극에 의해 넓어져서 드레인 전류의 높은 온/오프 비율을 크게 가져올 수 있도록 한 강유전 반도체를 기반으로 한 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다.금속-반도체 전계효과 트랜지스터에 있어서, Si 기판 위에 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe, CdFeSe와 같은 2-6족 화합물CdZnTe, CdZnS와 같은 강유전 반도체를 형성하면서 강유전 반도체 채널영역을 형성하고, 상기 강유전 반도체 채널영역의 소스 접촉영역에는 소스 전극을 오믹 접촉(ohmic contact)에 의하여 형성하며, 상기 강유전 반도체 채널영역의 드레인 접촉 영역에는 드레인 전극을 오믹 접촉에 의하여 형성하고, 상기 강유전 반도체 채널영역의 중앙에는 쇼트키 배리어를 통해 금속과 접합하여 게이트 전극을 형성하여 구성됨을 특징으로 한다.본 발명의 강유전 반도체를 기반으로 한 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에 의해서는 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에서 Si 기판에 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe, CdFeSe와 같은 2-6족 화합물의 강유전 반도체를 형성하면서 채널영역으로 하여 쇼트키 배리어를 통해 금속과 접합시키면 공핍층이 자발 분극에 의해 넓어져서 드레인 전류의 높은 온/오프 비율을 가져올 수 있는 잇점이 있는 것이다.본 발명의 강유전 반도체를 기반으로 한 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에 의해서는 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에서 Si 기판에 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe, CdFeSe와 같은 2-6족 화합물의 강유전 반도체를 형성하면서 채널영역으로 하여 쇼트키 배리어를 통해 금속과 접합시키면 공핍층이 자발 분극에 의해 넓어져서 드레인 전류의 높은 온/오프 비율을 가져올 수 있는 잇점이 있는 것이다.