일반기술

ＧａＮ 나노막대를 이용하는 단결정 ＧａＮ 기판 제조방법

먼저 GaN 나노막대(120)를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GaN 나노막대(120)를 씨앗층으로 하여 GaN 나노막대(120) 상에 두께 200 μm 이상의 GaN 후막(30)을 성장시키면 GaN 후막(30)도 GaN 나노막대(120)와 동일한 방향으로 우선 배향된 에피텍셜층이 된다. 그 다음에 GaN 후막(30)을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GaN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.먼저 GaN 나노막대(120)를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GaN 나노막대(120)를 씨앗층으로 하여 GaN 나노막대(120) 상에 두께 200 μm 이상의 GaN 후막(30)을 성장시키면 GaN 후막(30)도 GaN 나노막대(120)와 동일한 방향으로 우선 배향된 에피텍셜층이 된다. 그 다음에 GaN 후막(30)을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GaN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.본 발명에 의하면, 먼저 GaN 나노막대(120)를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GaN 나노막대(120)를 씨앗층으로 하여 GaN 나노막대(120) 상에 GaN 후막(30)을 성장시키면 GaN 후막(30)도 GaN 나노막대(120)와 동일한 방향으로 우선배향된 에피텍셜층이 된다. 따라서 GaN 후막(30)을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GaN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.