일반기술

화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법

반도체 소자의 게이트 주파수 특성을 향상시키는 구조를 가진 화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 관해 개시하고 있다. 본 발명의 게이트 전극 제조방법은, 식각제에 대해 서로 다른 식각선택성을 갖는 물질층들을 게이트 전극 하부에 위치시키고 상기 물질층들 중의 어느 하나를 언더컷 식각함으로써 게이트 전극 오버행 부분에서 발생하는 커패시턴스를 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 의하면, 게이트 전극의 오버행에 의해 발생하는 커패시턴스를 감소시켜 게이트의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.본 발명에 따른 화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 의하면, 게이트 전극의 오버행에 의해 발생하는 커패시턴스를 감소시켜 게이트의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.본 발명에 따른 화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 의하면, 게이트 전극의 오버행에 의해 발생하는 커패시턴스를 감소시켜 게이트의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.본 발명에 따른 화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 의하면, 게이트 전극의 오버행에 의해 발생하는 커패시턴스를 감소시켜 게이트의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.