일반기술

넓은 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법

본 발명은 넓은 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법에 관한 것으로, 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(metal semiconductor field effect transistor: MESFET), 고전자 이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor:HEMT) 등의 초고주파 및 밀리미터파용 반도체 소자 제조에 있어서, 게이트 다리 패턴용 유전체에 게이트 머리를 지지하는 지지용 축을 형성하여 게이트 다리를 중심으로 양쪽으로 게이트 머리를 받침으로써 게이트 머리가 지지되도록 한 넓은 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법이다.본 발명에 따른 지지용 축을 사용한 넓은 게이트 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법에 의하면, 유전체를 사용한 미세한 크기의 게이트 길이를 가지면서도 넓은 게이트 머리를 갖게 하여 게이트의 단면적을 크게 함으로써 기생 정전 용량에 의한 반도체 소자 특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한 종래의 게이트 제조 방법에서 패턴만 추가하였기 때문에 제조 방법의 변화가 없으면서도 소자의 특성이 저하되지 않은 안정적인 게이트를 제조할 수 있고, 게이트의 신뢰성 및 재현성이 향상되는 효과가 있다.본 발명에 의한 넓은 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법은, 초고주파 및 밀리미터파용 반도체 소자 제조에 있어서, 유전체를 사용한 미세한 크기의 게이트 길이를 가지면서도 넓은 게이트 머리를 갖게 하여 게이트의 단면적을 크게 함으로써 기생 정전 용량에 의한 반도체 소자 특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한 종래의 게이트 제조 방법에서 패턴만 추가하였기 때문에 제조 방법의 변화가 없으면서도 소자의 특성이 저하되지 않은 안정적인 게이트를 제조할 수 있고, 게이트의 신뢰성 및 재현성이 향상되는 효과가 있다.