일반기술

금속 축을 포함한 게이트

본 발명은 초고주파 반도체 소자 분야에 쓰이며 게이트 머리와 게이트 발로 구성되고 게이트 단부가 일(一)자로 끝나는 게이트에 있어서, 게이트 길이가 작아짐에 따라 게이트가 기울어지거나 쓰러지는 것을 방지하고 물리적인 안정성을 보완하기 위해 게이트 단부 또는 활성영역에 가로와 세로의 길이가 상기 게이트 머리 크기보다 큰 금속 축을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속축을 포함하는 게이트에 관한 것이다.본 발명에 의한 금속축을 포함한 게이트는 유전박막을 사용하지 않음으로써 소자특성 감소를 방지할 수 있으며 단순히 게이트 레이아웃만을 변화시킴으로써 일반적인 전자빔 묘화공정을 비롯한 여러 가지 방법의 묘화공정을 이용한 직접형성법으로 제작 가능하므로 유전박막의 적용에 따른 추가적인 복잡한 게이트 형성공정 없이 안정적이고 재현성 있는 게이트 형성이 가능한 효과가 있다.이와 같은 구조로 형성되는 본 발명의 금속축을 포함한 게이트는 0.1 ㎛ 이하의 초미세 게이트를 반도체 단일소자의 특성 감소 없이 또한 복잡한 공정과정이 필요 없이 재현성 있게 형성할 수 있다.본 발명에 따른 금속축을 포함한 게이트로 인하여, 부정합 고전자이동도 트랜지스터 혹은 변형 고전자이동도 트랜지스터 등의 반도체 단일소자에 직접 적용하여 밀리미터파 대역이상의 초고주파 대역에서 동작 가능한 고효율, 고신뢰성 특성을 갖는 능동소자를 개발이 가능하다. 또 이를 통하여 초고속, 광대역 특성을 갖는 무선통신용 밀리미터파 대역용 단일칩 집적회로(millimeter -wave monolithic integrated circuit; MIMIC)를 개발할 수 있는 핵심 기술을 확보할 수 있으며, 이로인한 수입대체 효과 및 기술이전을 통한 경쟁력 확보 및 나아가 광대역 무선 통신 서비스 관련 고부가가치 산업 창출 효과도 예상된다. 또한 국내외 협력 연구기관과의 학술 연구 결과를 교류하며 우수논문 발표를 통한 밀리미터파 분야에서의 위상을 재고할 수 있다.또한 본 발명에 따른 금속축을 포함한 게이트는 기존의 구조와는 달리 유전박막을 사용하지 않고 제조됨으로써 소자특성 감소를 방지할 수 있으며 단순히 게이트 레이아웃만을 변화시킴으로써 일반적인 전자빔 묘화공정을 이용한 직접형성법으로도 제작 가능하므로 유전박막의 적용에 따른 추가적인 복잡한 게이트 형성공정 없이 안정적이고 재현성 있는 게이트 형성이 가능한 효과가 있다.