일반기술

탄소 나노 패턴의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄소 나노 패턴

본 발명은 고분자막을 스핀코팅한 후, 일정량 이상의 전자빔을 조사함으로써 상기 고분자를 탄소화하여 탄소 나노 패턴을형성하는 방법을 제공한다.본 발명에 따르면 매우 간단한 공정으로 탄소 나노 패턴을 얻을 수 있기 때문에, 고집적화된 소자에 패턴화된 도전성 또는반도전성 막을 용이하게 제조할 수 있으며, 상기 패턴의 두께 조절도 자유롭게 할 수 있기 때문에, 그 응용분야가 매우 넓다.본 발명이 이루고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 공정이 매우 간단하고, 두께 조절이 자유로운 탄소 나노 패턴의 제조방법을 제공하는 것이다.본 발명이 이루고자 하는 두 번째 기술적 과제는 상기 제조방법에 의해 제조된 탄소 나노 패턴을 제공하는 것이다.본 발명은 상기 첫 번째 기술적 과제를 달성하기 위하여,(a) 고분자 또는 저분자 유기화합물을 실리콘 기판, 유리 기판 또는 플라스틱 기판상에 성막하여 필름을 형성하는 단계;(b) 상기 성막된 필름표면에 전자빔을 조사하여 탄소화하는 단계; 및(c) 상기 필름의 전자빔 비조사부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 패턴의 제조방법을 제공한다.본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 (a)단계의 고분자 유기화합물은 폴리메틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리플루오렌, 노볼락, 폴리에스테르 또는 폴리우레탄일 수 있다.또한, 상기 (a)단계의 저분자 유기화합물은 2개 이상의 방향족 고리를 포함하는 유기화합물일 수 있다.본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 (b)단계의 전자빔의 조사량은 1∼20 mC/cm2일 수 있다.본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 탄소 나노 패턴의 저항은 10-2 (Ω·m)이하인 것이 바람직하다.본 발명은 상기 두 번째 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 패턴을 제공한다.