일반기술

전도성 고분자 나노튜브의 제조방법

전도성 고분자 나노튜브의 제조방법을 제공한다.본 발명에 따른 전도성 고분자 나노튜브의 제조방법은 (a) 석영튜브 내의 기화영역에서, 염소가 치환되어 있는 단위체를기화시키는 단계; (b) 상기 기화된 단위체를 운반기체에 의해 열분해 영역으로 이동시킨 다음, 열분해하여 중간체를 형성하는 단계; (c) 상기에서 생성된 중간체를 운반기체에 의해 증착영역으로 이동시킨 다음, 다공성 기재를 거치면서 전구 고분자를 형성하는 단계; 및 (d) 열처리를 통해 탈염화수소화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 용매를 사용할 필요가 전혀 없기 때문에 고순도의 전도성 고분자 나노튜브를 제조할 수 있고, 이처럼 제조된 전도성 고분자나노튜브는 나노단위의 소자는 물론 광센서에도 사용할 수 있다.본 발명에 따른 전도성 고분자 나노튜브의 제조방법은 용매를 사용하지 않고 화학기상증착법을 사용하여 전도성 고분자제조용 단위체를 기화시킨 후 템플레이트 내에 증착시켜 중합함으로써 순도가 우수한 전도성 고분자 나노튜브를 제조할수 있다는 것을 특징으로 한다.본 발명에서 하고 석영튜브 내의 기화영역에서, 염소가 치환되어 있는 단위체를 기화시키는 단계의 온도는 단위체의 종류및 해당 압력에 따라 변화할 수 있는데, 압력이 0.8torr인 경우에는 50∼300℃인 것이 바람직하다. 상기 온도가 50℃ 미만인 때에는 단위체가 원할하게 기화되지 않을 염려가 있고, 300℃를 초과하게 되면 기화속도보다 열분해속도가 빨라져서기화가 일어나기 전해 열분해가 일어나며, 증착영역으로 이동하지 못하고 보트 내부에서 의도치 않는 반응이 일어나는 문제점이 있을 수 있다. 상기 염소가 치환되어 있는 단위체가 α,α'-디클로로크실렌인 경우에는 약 80℃가 적당하고, 2,5-비스(클로로메틸)티오펜인 경우에는 약 70℃인 것이 적당하다.