일반기술

촉매의 패터닝을 통한 ＺｎＯ 나노선의 측면성장방법

본 발명은 촉매를 원하는 패턴으로 형성시키고, 특정 위치에 반도체 나노선을 선택적으로 측면성장 시키기 위한 촉매의 패터닝을 통한 ZnO 나노선의 측면성장방법에 관한 것으로서, 반도체 나노선을 성장시키는 방법에 있어서, (1) 전기적으로절연된 기판 상부에 리소그래피 공정을 이용하여 패터닝한 후 촉매금속을 적층시켜 촉매금속층을 형성하는 과정; (2) 상기촉매금속층 상부에 리소그래피 공정을 이용하여 패터닝한 후 성장억제층을 형성하는 과정; 및 (3) 상기 촉매금속층 사이에Thermal CVD 방식을 이용하여 나노선을 측면성장시키는 과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 촉매 금속의 패터닝과 성장억제층의 패터닝을 이용한 반도체 나노선의 측면성장 방법은 접촉 저항을 줄일수 있고, 제조 과정이 간단하며, 다른 기타의 처리과정을 필요로 하지 않으므로 오염물질에 대한 노출을 최소화 할 수 있도록 하는 효과가 있다.또한 본 발명은 반도체 나노선을 전극 사이에 직접적으로 성장시킴으로써, 균일한 두께와 전기적 특성을 가진 반도체 나노선을 전극 사이에 접촉 시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 금속 촉매를 이용하여 ZnO 나노선을 합성하여 낮은 접촉 저항을 가지고 전극에 접촉시킴으로써 나노 디바이스 제조에 유용하게 이용될 수 있도록 하는 효과가 있다.