일반기술

광검출 다이오드 및 그 제조 방법

* 주요 내용상호 소정면적이 접합된 p형 실리콘층 및 n형 ZnO층과; 상기 n형 ZnO층의 상부일부에 일측이 개방된 사각 띠 형상으로 위치하고, Au와 Al이 3:1의 원자비로 혼합된 합금을 열증착하여 형성시키는 제 1전극; 상기 제 1전극의 상부일부 및 그 제1전극의 중앙에 노출된 상기 n형 ZnO층의 상부 동작영역 상에 위치하고, ZnO를 증착하여 형성시키는 광투과 절연층; 상기 p형 실리콘층의 저면 일부에 접하여 위치하고, In을 증착하여 형성시키는 제2전극; 및 상기 제1전극의 측면에 위치하는 n형 ZnO층에 실리콘이온을 주입하여 형성시킨 이온주입층으로 된 절연층 으로 구성된 것을 특징으로 하는 광검출 다이오드.* 고안배경 및 요약본 발명은 광검출 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 광검출 다이오드의 동작영역 이외의 영역에 이온주입을 통한 절연영역을 형성하여, 암누설전류를 감소시키는데 적당하도록 한 광검출 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.일반적으로, 광검출 다이오드는 빛이 조사되면 광전류를 발생시키는 수광소자이며, 광섬유전송시스템이나 기타 광검출 시스템에 응용되고 있다.광검출 다이오드는 두 반도체층이 PN접합을 이루고 있으며, 종래 광검출 다이오드는 어레이 형상으로 제작할 때 광검출 다이오드의 사이 영역에 절연구조를 형성하였다.이는 광검출 다이오드를 이루는 두 반도체층의 접합면의 전체가 광검출 다이오드의 동작영역이 아닌 금속전극의 사이영역만이 실질적인 동작영역으로 사용되는 것을 고려하지 않은 것으로, 광검출 다이오드 자체에서 암누설전류의 발생이 많은 문제점을 가지고 있다. 상기 암누설전류는 광이 조사되지 않을 때, 광검출 다이오드의 양극에 인가된 전압에 의해 발생하는 전류이며, 이는 소비전력이 증가하는 원인이 된다.* 과제본 발명은 암누설전류의 발생을 최소화 할 수 있는 광검출 다이오드 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 광검출 다이오드의 n형 반도체층의 비동작영역에 절연층이 형성된 것에 그 특징이 있다.또한, 본 발명은 상기 절연층을 n형 반도체층의 비동작영역에 실리콘이온을 소정의 조건으로 이온주입 함으로써 형성함에 그 특징이 있다.* 효과본 발명 광검출 다이오드 및 그 제조방법은 광검출 다이오드의 비동작영역에 실리콘이온을 주입하여, 그 n-ZnO층의 비동작영역을 절연층으로 변화시킴으로써, 광검출 다이오드의 암누설전류의 발생을 최소화할 수 있는 효과가 있다.