일반기술

발광소자 및 그 제조 방법

현재 주로 사용되는 GaN 성장용 기판 재료로는 고온에서 안정하며 비교적 저렴한 가격에 안정된 품질의 제품을 구할 수 있는 사파이어가 채택되고 있지만, 사파이어 기판을 사용하는 경우 사파이어와 GaN간의 격자상수 및 열팽창계수차이가 매우 크기 때문에 고품질의 단결정을 성장시키기 어렵다는 문제점이 대두되고 있음. 본 연구에서는 β-Ga2O3 단결정을 성장시킨 후, NH3 gas와의 ammonolysis반응에 의해서 표면에 전환된 GaN위에 overgrowth로 GaN 박막을 성장시켜 고품질의 GaN 박막을 성장하였음.기판으로 사용될 물질과 GaN과의 격자상수 차와 열팽창계수의 차이를 줄여 고품질의 단결정을 성장시키기 위한 기술적 특징이 있음.2004년 국내 LED 시장은 7,280억원 정도이며, 휴대폰 키패드, 액정화면 및 플래쉬 모듈등에 사용될 수 있을 정도로 시장성이 매우 큼GaN계 질화물 반도체는 LED에 사용될 수 있으며, 소자의 동작 속도를 더욱 증가시킬 수 있어서, 고출력용 전자 소자로의 응용이 기대되어 세계적으로 활발히 연구되고 있으므로 사업성은 매우 큼.