일반기술

디-프 자외선(Deep UV)을 이용하는 포토리소그래피용 포토레지스트 조성물

본 발명은 반도체 회로 제작에 사용되는 디-프 자외선(Deep UV)을 이용한 포토리소그래피(photo lithography) (사진석판)용 네가티브형 포토레지스트 제조용 조성물에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는 프리즈마 에칭(plasma etching)에 대한 저항성이 좋고 0.4㎛까지의 해상력이 가능한 포토레지스트 제조용 조성물에 관한 것이다.본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 DRAM, FLASH 등의 메모리 소자, 마이크로 프로세서 등의 반도체나, PDP, LCD 등의 디스플레이 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.본 기술은 기술적인 발전이 현저하고, 시장의 규모가 현저히 증가하고 있는 반도체와 디스플레이에서 고해상력의 패턴(pattern)을 얻고, 프라즈마 에칭으로 인한 저항성을 높이기 위한 포토레지스트용의 새로운 수지 조성물의 개발 필요성에 의해 그 중요성이 증가하고 있다.본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 DRAM, FLASH 등의 메모리 소자, 마이크로 프로세서 등의 반도체나, PDP, LCD 등의 디스플레이 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.본 기술이 위 응용분야의 기존 기술보다 뛰어난 장점 및 특징은 다음과 같다. - Deep UV 특히 248nm에서도 적합한 포토레지스트이며, 특히 내에칭성 및 0.4μm의 초미세 구조의 패턴을 얻을 수 있는 효과가 있다.※ 포토레지스트: 얇은 막으로 만들어 빛을 쐬면 내약품성이 큰 경질막으로 변화하는 감광성 재료를 말한다. 이는 프린트 배선 기판, 집적 회로·고밀도 집적 회로의 제조, 신문 따위의 인쇄판 제작 등에 사용된다.