일반기술

I-선리소그래피용의포토레지스트조성물

본 발명은 i-선을 이용하는 서브마이크론 리소그래피(submicron lithography)의 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 논벤조페논 감광제(PAC)를 이용하여 바인더로 메타/파라 혼합된 크레졸 노볼락수지를 혼합하여서 되는 i-선을 이용하는 서브아미크론 리소그래피용 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 DRAM, FLASH 등의 메모리 소자, 마이크로 프로세서 등의 반도체나, PDP, LCD 등의 디스플레이 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.본 기술은 기술적인 발전이 현저하고, 시장의 규모가 현저히 증가하고 있는 반도체와 디스플레이에서 고해상력의 패턴(pattern)을 얻고, 프라즈마 에칭으로 인한 저항성을 높이기 위한 포토레지스트용의 새로운 수지 조성물의 개발 필요성에 의해 그 중요성이 증가하고 있다.본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 DRAM, FLASH 등의 메모리 소자, 마이크로 프로세서 등의 반도체나, PDP, LCD 등의 디스플레이 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.본 기술이 위 응용분야의 기존 기술보다 뛰어난 장점 및 특징은 다음과 같다. - 자외선 365nm(i-선) 광원에 적합한 레지스트로써 0.4μm의 미세구조 패턴의 제조가 가능하며 논벤존페논(nonbenzophenone)의 PAC로 포지티브 포토레지스트를 제조하기 위한 조성물을 제공하는 것이 특징이다.