일반기술

앰플-튜브 법을 이용한 인과 비소 도핑 p형 산화아연 박막 제조방법

본 기술은 앰플-튜브법을 이용한 인과 비소 도핑 p형 산화아연 박막 제조방법에 관한 것으로, 본 기술은 기판 위에 성장된 도핑되지 않는 ZnO계 박막 또는 ZnO계 단결정 기판을 고진공의 앰플 튜브 안에서 도펀트로서 P와 As를 기상 확산시키는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따르면 매우 어려운 문제로 알려져 있는 고농도 p형 전도특성을 갖는 ZnO 박막 제조의 문제를 해결할 수 있다.■ 종래 기술의 단점 종래의 p형 ZnO박막의 제조는 어닐링을 이용하는 방법이 주로 사용되었다. 그러나 자체보상효과를 극복하는데에는 한계가 있기 때문에 캐리어농도나 비저항 등 전기적 특성이 매우 열악하였으며, 제조방법 또한 대량생산을 하기에는 한계가 있었다. 그러나 본 기술에서 사용된 앰플-튜브법은 이미 GaN계 양산라인에 사용되는 기술로서 p형 ZnO 대량생산을 위해 매우 유용하다.■ 기술의 우수성 현재 단파장 영역의 LEDs나 LDs에 널리 사용되고 있는 GaN와 구조적으로나 광학적으로 비슷한 특성을 가지고 있어, GaN 대체 재료로서 많은 주목을 받고 있는 ZnO를 광소자 제조에 적용 할 수 있다는 장점을 가지고 있다.