일반기술

엑스레이 이미지 디텍터

본 발명은 디지털 엑스레이 이미지 디텍터에 관한 것으로서, 기존 광도전체 물질인 a-Se을 Pb 1-x Sn x O의 형태의 p-i-n heterojunction구조로 구성시켜 PbO와 SnO가 순차적으로 증착되어 heterojunction 구조를 가진 엑스레이 이미지 디텍터를 제공하여, 넓은 스펙트럼에서 높은 비율의 광자들을 이용할 수 있고, 비교적 넓은 electric field가 발생되어 n side 쪽으로 전자들이 끌리는 힘 그리고 p side로 정공들이 끌리는 힘이 큰 엑스레이 리셉터를 제공하고자한다.종래 기술의 단점 - 종래기술방식에 있어서, 엑스레이 이미지 디텍터는 a-Se, PbI2, HgI2, CdZnTe, TlBr 등을 엑스레이 리셉터로 사용하고 있으며, 물리적 지지체인 기판상에 제1 전극을 형성시키고, 상기 제1 전극상에 엑스레이 리셉터인 셀레늄 등을 형성시키며, 다시 상기 엑스레이 리셉터상에 제2 전극을 형성시킨 구조를 가진다. 또한 일반적인 semiconductive photodetector cell은 silicon, germanium, gallium 비화합물, 그리고 다른 semiconductor 물질로 p-n junction을 형성하고, 빛이 들어가면 전자들은 p-n junction을 건너 움직이게 된다. 물질들의 전자들은 일반적으로 결정구조의 원자들로부터 자유롭지 못하지만, 결정에 빛이 입사되면 전자들이 bound condition으로부터 자유로워지기에 필요한 에너지를 제공한다. 효율은 7-14% 이고 이론적인 최대 효율은 20%이다.기술의 우수성 - 본 발명은, 앞서 상술한 junction loss와 낮은 전하수집 효율의 문제를 극복하기 위하여 PbO와 SnO의 다양한 비율을 사용하여 제조한 photoconductive 물질을 엑스레이 리셉터로 사용한 디지털 엑스레이 이미지 디텍터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 가시광 영역의 파장대에서 그 흡수효율이 높으며 흡수한 빛에 의해 광전류를 흐르게 하는 photoconductive layer의 특성에 따라, 입사되는 방사선에 의해 가시광을 발생시키는 형광층을 접합시켜 상기 엑스레이 리셉터의 방사선 검출특성을 향상시킨 엑스레이 이미지 디텍터를 제공하는 것을 목적으로 한다.