일반기술
ＴｉＮ 막 표면의 ＥＣＲ 플라즈마 전처리를 포함한 ＲｕＯ₂증착방법
본 기술의 RuO2의 증착방법은 표면 전처리를 통하여 RuO2의 핵생성을 향상시키기 위한 것으로, 종래 RuO2의 증착방법에서 화학적 전처리 단계와 RuO2의 증착 단계 사이에서 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마 전처리를 수행하는 방법이다.본 기술은 화학적 전처리 단계와 RuO2의 증착 단계 사이에 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마 전처리를 수행하여 TiN 막을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 RuO2의 증착방법에 관한 기술이다.본 기술은 TiN 막 표면에 아르곤이나 수소 플라즈마 전처리를 수행함으로써 TiN막 표면의 산소와 질소원자를 제거하게 되며, TiN막 위에 더 쉽게 핵이 생성되어 용이하게 RuO2 막을 얻을 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 기계 > 기타 기계
- 보유기관
- 중소기업청
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-05-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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