일반기술

마이크로웨이브 플라즈마 씨브이디에 의한 대결정다이아몬드 박막의 제조방법

마이크로웨이브 플라즈마 CVD를 이용하여 다이아몬드 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대결정 및 대면적의 순수한 다이아몬드 박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 것 재 보고되고 있는 다이아몬드의 합성방법을 보면, 대결정의 다이아몬드를 합성하기 위해서는 고온(2000℃이상) 및 고압을 필요로 한다. 따라서 고온 및 고압에 견딜 수 있는 장치를 필요로 하며, 처리 결과 합성되어지는 다이아몬드의 면적 또한 상대적으로 작은 단점이 있음이와는 반대로 대면적의 다이아몬드를 얻기 위해서는 주로 저압법을 사용하는데, 이 방법에서 얻어지는 다이아몬드의 결정은 그 크기가 매우 작은(10∼20㎛이하) 단점이 있음 특징 및 장점첫째, 본 기술의 다이아몬드 박막은 대결정을 얻기 위해 고온 및 고압이 필요 없음둘째, 저압에서 손쉽게 대결정 및 대면적의 다이아몬드를 합성할 수 있는 효과가 있음셋째, 본 기술에서는 DLC가 아닌 순수한 다이아몬드 성분을 갖는 다이아몬드 박막을 얻음으로써 기존에 합성된 다이아몬드보다 더욱 우수한 물리적 및 화학적 성질을 지닌 견고한 다이아몬드의 합성이 가능한 효과가 있음