일반기술

회전식 플라즈마 용사법에 의한 집적회로 패키지용 히트싱크 제조방법

IC 패키지의 하나인 기밀형 4측면 밀봉 타입에 응용하기 위한 히트싱크 기판을 회전식 플라즈마 용사법에 의한 제조방법이 개시 종래 기술의 단점현재 IC 히트싱크의 임가공시 플라즈마 용사에 의한 알루미나 코팅제품에서 3-5일의 시간의 경과에 따른 알루미나층 표면에 검은색의 0.1-1㎜ 직경의 검은색 반점이 형성되는 문제점이 있음 기술의 우수성IC 패캐징용 히트싱크에서 요구되는 제반 물성을 충족시키는 최적 용사 공정변수 및 용사전처리공정을 확립하였음 기술 요약회전식 플라즈마 용사법에 의해 용사 거리 70-120㎜, 용사각도 90°, 아크가스(Ar) 유량 50-130 scfh, 보조가스(H2) 유량 6∼100 scfh, 캐리어 가스(Ar) 유량 21-40 scfh, 분말공급율 3.5lb/hr, 아크(Ar) 가스압 6.2 kg/㎠, 보조가스(H2) 압력4.5 kg/㎠, 캐리어 가스(Ar) 압력 4.5 kg/㎠의 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 IC 패키지용 히트싱크 제조방법