일반기술

오존을 이용하는 원자층 증착법으로 실리콘 산화막을 형성하는 방법

원자층 증착법을 사용하기 때문에 실리콘 산화막의 두께를 사이클 수만으로 정확하게 제어할 수 있으며 화학조성제어가 용이하고, 박막의 단차 도포성도 우수하다. 그리고, 낮은 공정온도에도 불구하고 촉매를 사용하지 않기 때문에 박막이 우수한 물리적, 전기적 특성을 갖는다. 특히, 반응성이 강한 O 라디칼에 의해 표면반응이 활성화되기 때문에 촉매를 사용하지 않더라도 산소와 수증기를 산소 전구체로 사용하는 경우에 비해서 낮은 전구체 노출속도(reactant exposure)에서도 높은 박막성장률을 얻을 수 있다.본 발명에 따른 실리콘 산화막 형성방법은, 실리콘 전구체와 산소 전구체를 개별적으로 분리 공급하여 원자층 증착을 행하되, 상기 산소 전구체로서 오존을 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 원자층 증착법을 사용하기 때문에 실리콘 산화막의 두께를 사이클 수만으로 정확하게 제어할 수 있으며 화학조성제어가 용이하고, 박막의 단차 도포성도 우수하다. 그리고, 낮은 공정온도에도 불구하고 촉매를 사용하지 않기 때문에 박막이 우수한 물리적, 전기적 특성을 갖는다. 특히, 반응성이 강한 O 라디칼에 의해 표면반응이 활성화되기 때문에 촉매를 사용하지 않더라도 산소와 수증기를 산소 전구체로 사용하는 경우에 비해서 낮은 전구체 노출속도(reactant exposure)에서도 높은 박막성장률을 얻을 수 있다. 사업성 - 우수한 질의 박막을 저온에서 형성할 수 있는 방법으로 모든 반도체 소자나 LCD소자의 박막으로 사용될수 있어 기술의 사업성 가능성은 매우 뛰어나다고 평가됨