일반기술

반도체 소자 배선용 구리 박막의 증착 속도를 높이기 위한 전처리 세정 방법

스퍼터링으로 TiN 하지막층을 형성한 후, 하지막 위에 스퍼터링으로 팔라듐 층을 도입함으로써 구리의 도포 분포가 균일하고 비저항이 낮은 반도체 소자 배선용 구리 박막을 형성하는 기술임<사업성> 기존 공정을 개선하는데 널리 활용 가능하여, 반도체 구리배선 분야 기업의 경우 도입하여 사용 가능함<시장성> 본 반도체 소자 배선용 구리 박막은 전체적으로 구리층이 균일하고 안정하게 형성되며, 배선의 비저항도 종래의 사용하는 물질보다 낮으므로 반도체 구리배선분야의 공정으로 널리 쓰일 수 있으므로 시장성은 매우 넓음.스퍼터링으로 TiN 하지막층을 형성한 후, 하지막 위에 스퍼터링으로 팔라듐 층을 도입함으로써 구리의 도포 분포가 균일하고 비저항이 낮은 반도체 소자 배선용 구리 박막을 형성하는 기술임<사업성> 기존 공정을 개선하는데 널리 활용 가능하여, 반도체 구리배선 분야 기업의 경우 도입하여 사용 가능함<시장성> 본 반도체 소자 배선용 구리 박막은 전체적으로 구리층이 균일하고 안정하게 형성되며, 배선의 비저항도 종래의 사용하는 물질보다 낮으므로 반도체 구리배선분야의 공정으로 널리 쓰일 수 있으므로 시장성은 매우 넓음.