일반기술

램의 에러 체크방법

종래에는 어드레스를 일방적으로 지정하고 해당하는 셀에 데이타를 쓰고 읽어들여 각 셀의 비트동작 상태만 체크함에 따라 체크가 가능하였으나 어드레스 디코드에 관계없이 동작할 수 있기 때문에 오류를 범하게 되는 문제점이 있다. 본 기술은 초기에 셀의 각각 비트동작을 체크함과 아울러 어드레스 라인 디코드상태를 체크하여 시스템의 오동작을 미연에 방지할 수 있도록 한다.시스템 초기화 이후에 지정된 어드레스에 해당하는 셀에 55 Hex와 AA Hex를 라이트 및 리드하여 셀의 각 비트동작이 정상적인지 아닌지를 체크하는 제1단계와 제1단계에서 비정상적이면 램 에러로 판단하고 정상적이면 어드레스를 클리어한 후 어드레스를 하나씩 증가시켜 마지막까지 셀을 체크하는 제2단계, 제2단계에서 마지막 어드레스까지 셀 체크를 완료하게 되면 다시 초기의 어드레스와 초기의 어드레스+2n까지 증가시켜 '0'부터 'n'까지 라이트하는 제3단계와 제3단계에서 라이트완료시 램을 다시 초기화하고 각각의 어드레스에서 이전에 라이트했던 값을 읽어들여 두 어드레스값을 비교하여 다르면 램 어드레스 디코드 에러로 판단하고 같으면 램체크를 종료하는 제4단계로 이루어짐을 특징으로 한다.