일반기술
마그네트론의 양극부 구조
본 기술은 음극부에서 방출된 열전자가 자기회로에서 작용공간에 인가되는 자계에 의해 방출된 에너지를 받아들이는 음극부의 구조에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로는 그 구조를 변경하여 마그네트론을 저렴한 가격으로 생산할수 있도록 한것이다.종래에는 음극부를 구성하는 애노드와 애노드베인이 고가의 무산소동으로 되어 있어 생산원가가 많이 들었다. 본 기술을 이용하게 되면 마그네트론의 생산원가를 대폭 절감시킬수 있다.본 기술은 그 구조를 변경하여 마그네트론을 저렴한 가격으로 생산할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.이를 위해 필라멘트 주변에 방사상으로 배치되는 애노드베인과 상기 애노드베인을 고정하기 위한 원통형의 애노드로 구성된 음극부에 있어서, 애노드와 애노드베인을 일반 전기동으로 하여 그 표면을 무산소동으로 도금하여서 된 마그네트론의 음극부 구조가 제공된다
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-07-31
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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