일반기술

반도체 레이저

본 기술은 레이저에 관한 것으로, 특히 바이액셜 스테인(Biaxial Strain)을 이용한 Ⅱ-Ⅵ족 반도체의 청녹색 레이저 구조에 관한 것이다. 종래의 단파장 반도체 레이저는 MO 디스크 프린터 등 그 사용 용도가 넓으나 이에 적합한Ⅱ-Ⅵ족 반도체는 공정이 어렵고, 정제기술이 복잡할뿐만 아니라 레이저에서 가장 중요한 특성인 광이득특성이 Ⅲ-Ⅴ족 반도체에 비해 열약하여 상온에서의 실용화가 어려운 문제가 있다.본 기술은 광이득 특성의 개선을 통하여 상온에서 실온화에 적당하도록한다. 본 기술을 이용하면 트레인 포텐셜-30mev일 때 스트레인이 없을 때 보다 광학적 이득이 3배이상 증가하는 현저한효과가 있다.본 기술의 목적은 바이액셜 컴프 레시브스트레인(Biaxial Compressive Strain)을 이용하여 새로운 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 레이저 구조의 제안으로 광이득 특성의 개선을 통하여 상온에서의 실용화에 적당하도록한 바이액셜 스트레인을 이용한 Ⅱ-Ⅵ족 반도체레이저를 제공함에 있다.이를 위해 제1도전형 기판과, 기판위에 형성된 제1버퍼층과, 제 1버퍼층위에 형성된 전자공급층과 전자공급층 위에 형성된제 1 배리어층 위에 형성된 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 화합물로 이루어진 스트레인된 활성층과, 활성층위에 형성된 제2배리어층과, 제 2배리어층위에 형성된 전공공급층과, 정공공급층 위에 형성된 제2버퍼층과, 제 2 버퍼층 위에 형성된 캡층으로 구성된다.