일반기술

반도체 레이저 다이오드

본 기술은 광통신용 광원으로 주로 사용되는 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로 특히 격자 부정합에 의한 바이액셜 콤프레시브 스트레인(Biaxial Compressive Strain)을 이용하여 광이득 및 변조 대역을 개선시키기에 적당하도록 한 것이다.종래의 반도체 레이저 다이오드에 있어서는 활성층과 제1,2클레딩층에 격자 정합을 이루고 있어 스트레인이 인가될 수 없으므로 광이득을 향상시킬 수 없으며 레이저의 변조 대역폭이 10GHZ이하로 제한되어 있기 때문에 변조 대역을 개선시킬 수 없는 결점이 있다.본 기술을 이용하면 활성층의 격자 상수가 클래딩층의 격자 상수보다 크도록 화합물 반도체의 조성비를 조정하여 광이득과 변조 대역폭을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.본 기술은 활성층에 일정 탄성한계 내의바이액셜 스트레인이인가되도록 화합물 반도체 조합(활성층과 클래딩층)을 선정하는데 그 목적이 있다.이를 위해 양자 우물 구조와 2밴드 다이어그램을 나타낸 것으로 활성층과, 제1,2클래딩 적층시 활성층의 격자상수가 제1,2클래딩층의 격자 상수보다 크도록 화합물 반도체의 조성비를 조정하여, 이러한 화합물 반도체 조합은 활성층에 바이액셜 스트레인을 인가시켜 이룰 수 있는 것으로 이렇게 활성층에 인가된 바이액셜 스트레인이 탄성한계 내에 도록 두께를 30Å-200Å 범위에서 조절한다.