일반기술
실리콘 게르마늄 합금의 제조방법
열전변형소자의 성능은, 구성하는 반도체소자의 도전율이 성능에 크게 관여한다. 본 발명은 PN 접합소자를 연결 다층구조로 적층하는 프로세스와 적층의 프로세스로 피할 수 없는 잔류 변형을 가열처리로 제거 경감하는 프로세스를 연속하여 실시하는 것. 가열처리의 분위기는 필요에 따라 선택할 수 있다. 관련특허(본지R-14-002,R-14-003)에 있어서, 적층 프로세스를 완료후, 곧 적층장치에 부착한 채 고진공 혹은 소요 가스 분위기중에서 900℃ 레벨로 가열해 변형 교정을 실시함으로써 전도율을 개선시킨다. 결과적으로 열전소자의 성능 지수가 향상한다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 금속재료
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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