일반기술

반도체 레이저 장치

본 기술은 반도체 레이저장치에 관한 것으로서, 특히 클래드층과 활성층 사이의 에너지 밴드 차이를 증가시켜서 활성층으로부터의 누설전류를 줄일 수 있게 한 것에 관한 것이다.종래의 양자 우물구조에서는 양자효과에 의해서 발진파장에 해당하는 에너지 폭은AlxlGa1-xAs에 해당하는 것으로 이때 제 1 및 제 2클래드층(2, 4)과의 에너지 밴드 차이가 줄어들고, 따라서 누설 전류가 증가하게 된다. 그러므로 레이저장치의 신뢰성과 열적특성이 저하되어 광통신장치등과 같이 고도의 신뢰성을 요하는 반도체에서는 양자 우물 구조의 우수한 특성을 살릴 수 없게 된다. 그리고 에너지,밴드폭을 증가시키기 위해서는 제 1 및 제 2래드층(2,4)의 Al 조성비를 증가시키면 되나 이것은 Al 산화등에 의한 신뢰성 저하의 요인이 된다.본 기술은 클래드층과 활성층의 에너지 밴드를 증가시키고 활성층 클래드층간의 에너지 밴드를 증가시켜서 누설전류를 줄일 수 있는 반도체 레이저장치를 얻을 수 있게 된 유용한 것이다.본 기술은 클래드층과 활성층 사이의 에너지 밴드차이를 증가시켜 활성층올 부터의 누설전류를 줄일 수 있게 한 것에 목적을 둔 것이다.이를 위해 제 1 및 제 2클래드층은 InGaP로 하고 양자우물구조 활성층은 InGaAs나 AlGaAs로 하여서 클래드층이 활성층에 비해 에너지 밴드폭이 크게 하여 활성층으로 부터의 누설전류를 줄 일 수 있게 한다.