일반기술

청색 반도체 레이저 다이오드

본 기술은 청색 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 특히 활성층을 텐셜-스트레인을 갖는 ZnSSe 양자우물로 구성하고, 클래드층을 ZnSe에 격자 정합한 MGZnSSe를 이용하여 임계전류밀도를 낮추고 발진파장을 짧게 할 수 있게 한것에 관할 것이다. 종래의 양자 우물 레이저 다이오드는, 활성층 양자우물의 광이득이 ZnSe의 경우 아주 작기 때문에 이를 극복하기 위하여 활성층 격자 상수가 클래드층의 격자상부보다 커지도록 Cd를 소향(25% 이하) ZnSe에 첨가하여 광이득을 높인 구조를 사용하는데, 이는 바이액시알컴프레시브 스트레임을 활성층에 인가하기 위한 것이고 반면에 Cd가 첨가되면 실제로 상온에서 500nm이하로 레이저를 발진시킬 수 없는 문제점이 따르게 된다.본 기술은 청색 반도체 레이저 다이오드의 발진파장을 매우 짧은 파장(500nm 이하)로 할 수 있게 되며, 발진개시 전류밀도의 낮은 임계전류밀도에서 동작시킬 수 있게 된 것이다.본 기술은 텐셜-스트레인을 갖는 양자우물 구조를 사용하여 레이저의 발진파장을 상온 (500nm)이하로 줄일 수 있게 한 것에 목적을 둔것이다.본 기술은 활성층과 클래드층과의 에너지 간격을 유지하고 활성층의 원자간격이 클래드층의 원자간격보다 적게한 텐셜-스트레인을 갖도록 양자우물층을 형성하여 청록색 레이점을 단파장화 한 것을 특징으로 한다.