일반기술

화합물 반도체 레이저 다이오드

본 기술은 레이저 다이오드의 구동에 따른 광 출력 및 신뢰성을 향상하기에 적당하도록 한 화합물 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.종래에는 제1,2클래드층에 의하여 발생하는 액티브층의 전류 제한 효과가 가이드층에 의해 감소하므로써 고 전류 인가시 액티브층에서 가이드층 및 제1클래드층으로 전류가 오버플로우 되므로 고축력 동작에 한계가 있었으나, 본 기술에서는 제1클래드층 및 전파인층을 형성하는 물질중 A1의 조성비를 액티브층을 형성하는 물질중의 A1조성비 보다0.3이상 크게하므로써 액티브층의 전류 제한 효과는 종래에 비하여 2배 이상 크므로 발진 개시 전류가 많고 고 전류 인가시에도 캐리어 오버플로우가 발생하지 않기 때문에 초 고 출력을 얻을 수 있으므로 결점을 개선 시킬 수 있는 것이다.기판상에 성장된 CBL층과, CBL층을 에칭 한 후 제1클래드층 및 액티브층을 형성하며 액티브층위에 형성되어 전류 제한 효과를 크게하는 컨파인층과, 컨파인층위에 형성되어 상기 액티브층에 의해 발생된 빛이 분산되도록 하는 베리드층과, 베리드층 위에 제2클래드층 및 콘택층을 차례로 형성한 것을 특징으로 한다.