일반기술

적외선 광 검출기

본 기술은 상온에서 동작하는 광 검출기에 관한 것으로, 특히 냉각장치 및 고품질의 양자우물 형성의 필요성을 단순화시키기에 적당하도록 한 델타도핑된 반도체를 이용한 적외선 광 검출기에 관한 것이다종래의 광 검출기에 있어서는 MCT를 이용한 광 검출기의 암전류가 크기 때문에 액체질소온도 77°K까지 냉각시켜야 동작이 가능하고 양자우물구조를 갖는 광 검출기의 경우 상대적으로 암전류가 적어서 상온에서 동작이 가능하나 양질의 양자우물구조 형성이 전제조건으로 되어야 하는 문제점이 있다.본 기술은 델타도핑층의 도핑농도를 조절하므로써, 감지되는 적외선의 파장을 조절하는 것이 가능하고, 양질의 양자우물 형성없이 델타도핑만으로도 양자구속 장벽효과를 이용하여 적외선 감지가 가능하고, 상온에서 장파장 적외선(3∼30㎛)의 검출이 가능한 적외선 검출기를 제조할 수 있는 효과가 있다.본 기술은 냉각장치 및 양질의 양자우물형성의 필요성을 단순화시킨 광 검출기를 제공하는데 그 목적이 있다.이로인해 반도체기판상에 양자 장벽을 형성하기 위해 복수개의 델타도핑층으로 형성되는 델타도핑 반도체층과, 델타도핑 반도체층위에 전위장벽을 낮추기 위해 형성되는 고농도의 제1도정형 반도체층과, 반도체층상에 형성된 캠용 고농도 제1도전형 반도체층과, 반도체층상에 전극이 형성됨을 특징으로 한다.