일반기술
화합물 반도체의 제조 방법
본 기술은 에칭 표면이 공기중이나 탈리 온수 등에 노출되어도 산화막이 형성되지 않도록 하여 완벽한 화합물 반도체 표면을 얻기 위한 것이다.본 기술을 이용하면 유황 보호막을 형성하는 효과가 있으며 진공중에서 열처리 또는 장시간 보관하여 유황 보호막의 유황이 해리되면서 자연 산화막 및 유황 산화막이 없는 완벽한 화합물 반도체 표면을 얻을 수 있다.본 기술은 에칭 표면이 공기중이나 탈리온수등에 노출되어도 산화막이 형성되지 않도록 하여 완벽한 화합물 반도체 표면을 얻는데 그 목적이 있다.이를 위해 사용할 산성 및 알칼리성 에칭 용액을 선정하고(NH4OH, H3PO4 베이스등) 혼합비율에 맞게 에칭 용액을 섞은후(NH4)2SX를 함께 혼합하여 공정에 알맞는 PH를 조정하여 에칭을 실시한 것이다
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2007-07-31
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.