일반기술

포토 다이오드의 구조

본 기술은 포토 다이오드에 관한 것으로 포토 전류(Iphoto)/암전류(Idark)비를 향상시키기 위한 것이다.종래에는 하부전극 위에 고농도 n형 광전변환층, 진성 광전변화층, 고농도 P형 광전변환층, 상부투명전극이 차례로 적층된 구조로써, 에너지 밴드 갭(Eg)이 1.7eV 정도인 진성 광변환층에 트랩이 존재할 경우 암전류가 높아져서 포토 다이오드 특성이 저하되었다.본 기술은 종래 구조에서 고농도 p형 광전변환층 대신 다이아몬드 박막이 형성된 구조로써, 다이아몬드 박막으로 암전류를 제어할 수 있으므로 포토 전류에 여러 레벨을 만들어 하이 그레이 스케일 레벨을 갖도록 할 수 있어 포토 전류/암전류비가 증가되므로 포토 다이오드의 특성을 향상시킬 수 있다.하부전극과, 하부전극위에 형성되는 소정 도전형 광전변환층과, 소정 도전형 광전변환층위에 형성되는 진성 광전변환층과, 진성 광전변환층 위에 형성되어 암전류를 제어한는 다이아몬드 박막과, 다이아몬드 박막위에 형성된 상부투면전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.