일반기술

다결정실리콘 박막트랜지스터 제조방법

본 기술은 단결정실리콘 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 다결정실리콘 박막트랜지스터를 제조했을 경우 다결정실리콘 박막트랜지스터의 여러 가지 특성 중에서 특히 오프전류(off-current)특성이 크게 저하된다. 즉, 전송특성곡선에서 게이트전압이 네가티브로 증가할 경우 드레인전류가 증가하는 특성을 보이는데 이런 특성을 가지는 다결정실리콘 박막트랜지스터의 액정표시장치의 픽셀스위칭소자로 사용하는데 많은 제약이 따르는 문제점이 있었다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 드레인특 채널부분에 인가되는 게이트 전압의 세기를 줄여 오프전류(off-current)의 특성을 향상시키도록 하는 다결정실리콘 박막트랜지스터 제조 방법을 제공하는 것이다.본 기술은 드레인측 채널부분에 인가되는 게이트 전압의 세기를 줄여서 오프전류(off-current) 특성을 향상시키도록 하는 다결정실리콘 박막트랜지스터 제조방법을 제공하는 것이다.본 기술은 기판상에 양측에 소오스/드레인영역이 형성된 다결정실리콘층이 형성되고, 다결정실리콘층위에 콘택홀이 형성된 게이트절연막이 형성되며, 그 게이트절연막중앙위에 고농도불순물영역과 진성영역이 형성된 제1게이트전극이 형성되며, 제1게이트전극의 진성영역위에 제2게이트전극이 형성되고, 소자위에 콘택홀이 형성된 층간절연막이 형성되며, 층간절연막위에 콘택홀을 통해 소오스/드레인영역과 접촉되는 소오스/드레인전극이 형성되어 구성된다.