일반기술

액정표시소자의 화소 박막트렌지스터

본 기술은 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터에 관한 것으로, 종래액정표시소자의 화소 박막트랜지스터는 면적이 커지고 화소 수가 증가할수록 스캔라인의 레지스턴스와 캐패시턴스성분에 의해 스위칭소자를 스위칭시키는 시캔펄스 즉, 게이트펄스의 왜곡이 발생하게 되는데, 이는 게이트 온전압의 감소를 의미하고, 이 때문에 스위칭소자의 전류는 작아져서 결과적으로 화소전극은 데이터신호가 불충분하게 차아징된다. 이는 스캔라인을 따라 형성되는 각 스위칭소자의 크기,즉 폭(Width:W)과 길이(Length : L)가 동일하기 때문에 스캔라인을 따라 점차로 심각해져서 화면상에 수평라인 방향으로의 화질저하가 발생하는 문제점이 있었다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 스캔라인의 끝단부분에 형성되는 스위칭소자일수록 스캔펄스의 왜곡정도 및 스위칭소자의 전류-전압특성을 고려하여 그 크기를 점차로 크게 형성하여 차아징(Charging)특성을 향상시키도록 하는 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터를 제공하는 것이다.본 기술을 이러한 문제점을 해결하기 위하여 스캔라인의 끝단부분에 형성되는 스위칭소자일수록 스캔펄스의 왜곡정도 및 스위칭소자의 전류-전압특성을 고려하여 그 크기를 점차로 크게 형성하여 차아징(Charging)특성을 향상시키도록 하는 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터를 제공하는 것이다.본 기술은 게이트신호를 발생하는 스캔구동부와 데이타신호를 발생하는 데이타구동부와, 스캔라인, 데이타라인, 스위칭소자및 스토리지 캐패시터로 구성되어 스캔구동부의 게이트신호에 따라 데이타구동부의 데이타신호를 시위칭하여 화상을 표시하는 화소부로 구성되는 액정표시소자에 있어서, 스위칭소자의 크기를 스캔구동부로 부터 멀어질수록 크게 형성하여 구성하는 것으로, 스캔구동부와 데이타구동부는 일부 또는 진체가 내장되도록 구성한다.