일반기술

액정표시장치의 제조방법

본 기술은 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 게이트라인을 소오스라인과동일한 재료로 소오스라인 형성시에 동시에 형성하여 사용된 배선재료의 용융점에관계없이 저저항의 배선재료를 사용할 수있도록 한 것이다.본 기술은 투명 절연기판위에 활성층을 형성하는 단계, 활성층을포함한 기판 상부에 게이트절연막을 형성하는 단계, 게이트절연막위에 게이트전극과 제1소오스라인을 동시에 형성하는 단계, 활성층의 소정영역에 소오스 및 드레인영역을 형성하는 단계, 기판 전면에층간절연막을 형성하는 단계, 층간절연막 및 게이트절연막을 선택적으로 식각하여 제1소오스라인과 게이트전극, 소오스 및드레인영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계, 화소전극을 형성하는 단계, 콘택홀을 통해 게이트전극과 연결되는 게이트라인과 제1소오스라인 및 소오스영역에 연결되는 제2소오스라인, 드레인영역에 연결되는 드레인전극을 동시에 형성하는 단계로 구성되는 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.종래기술에서는 액정표시장치의 박막트랜지스터 어레이부의 게이트라인으로 N형 또는 P형의도판트가 주입된도우프드 폴리실리콘이나 WSi2등의 실리사이드가 많이 사용되고 있다.그러나 이와 같은 재료는 저항이 비교적높아 화소수가 증가하거나 게이트라인이 길어질 경우 게이트신호를 지연시키는 문제가 발생하게 된다. 한편, A1합금은 저항은 아주 작지만 용융점(melting poi nt)이 낮아 고온에서 견디지 못하기 때문에 게이트라인으로 사용할 경우 차후의 공정온도를 500℃이상으로 증가시킬 수 없다. 따라서 본 기술은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 게이트라인을 소오스라인과 동일한 재료로 소오스라인 형성시에 동시에 형성하여 사용된 배선재료의 용융점에 관계없이 저저항의 배선재료를 사용할 수 있도록 한 액정표시장치의 제조방법을제공하는 것을 그 목적으로 한다.