일반기술

반도체소자의제조방법

본 발명은 박막 트랜지스터 및 포토다이오드의 제조방법에 관한 것이다.보호막으로 사용되는 SiNx 막은 강도가 낮아 강한 충격에 약하기 때문에 신뢰성에 문제가 있으며, 또한 장시간의 증착시간이 요구되며 그 증착속도가 100옴스트롱/MIN 이하로 낮기 때문에 양산시 병목 구간을 형성하여 원활한 제품제작에 지장을 주어 생산성 감소를 초래하는 문제를 해결하기 위한 것으로, 양질의 보호막을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공한다.본 기술은 문제를 해결하기 위한 것으로, 양질의 보호막을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.목적을 달성하기 위해 본 기술은 반도체 소자를 제조함에 있어서, 소자를 보호하기 위해 형성하는 상부의 보호막을 다이아몬드 박막으로 형성하는 것을 특징으로 한다.본 기술에 의하면, TFT 및 포토다이오드의 보호막을 DLC로 형성함으로써 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, DLC의 빠른 증착속도(500Å/min)로 인한 공정시간의 단축으로 생산성을 향상시킬 수 있다.또한 TFT의 경우에는 차광막이 필요없게 되므로 공정이 단순화되는 효과도 있다.