일반기술

유기 전계 발광 소자의 제조방법

본 기술은 유기전계 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기전계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 종래의 기술은 네가티브 타입의 유기 감광막을 이용하여 격벽을 형성할 경우, 값이 비싸고, 격벽의 크기 및 높이가 커질 경우, 감광막의 특성상 구조적으로 불안정하여 경우에 따라서 오버행 구조가 형성되지 않고, 쓰러지거나 인접 픽셀 간 단락을 일으키는 문제가 발생 하고, 감광막을 사용함으로써 선폭(CD; Critical dimension)을 최소화하는 데에 한계가 있는 문제가 있다. 본 기술이 이루고자 하는 기술적 과제는, 유기전계 발광소자의 격벽 형성 방법을 개선하여 격벽의 기능을 개선시키고, 격벽의 크기와 높이를 줄임으로써 좀 더 미세한 패턴을 가지고, 튼튼한 구조를 갖는 유기전계 발광소자의 제조방법을 제공하는데 있다. 본 기술은, 투명 기판 위에 어느 한 방향으로 뻗어 있는 양전극층을 형성하는 단계; 상기 양전극층 및 투명 기판 위에 격자 형태의 절연층을 형성하여 화소용 개구부를 정의하는 단계; 상기 절연층을 포함하는 투명 기판 상에 실리콘산화막(SiO)을 형성하는 단계; 상기 실리콘산화막(SiO) 위에 양전극층과 수직하도록 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 실리콘산화막(SiO)을 식각하되, 실리콘산화막(SiO)의 폭이 상기 감광막 패턴보다 작은 폭을 갖도록 식각하는 단계로 구성되어 있다. 본 기술에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법에 의하면, 격벽을 형성하는 물질 및 형성방법을 개선하여 종래의 격벽보다 크기와 높이가 작고 튼튼한 격벽을 형성하여 픽셀 간의 단락을 보다 효과적으로 방지할 수 있는 장점이 있다.