일반기술

유기전계 발광소자의 제조방법

본 기술은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기전계 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 종래 기술의 유기전계 발광소자의 제조방법에서 절연층 패턴과 격벽은 각각의 마스크를 이용하여 형성함으로써 공정단계가 증가하고, 이에 따라 후속 공정에도 영향을 미쳐 유기전계 발광소자의 수율이 낮아지는 문제가 발생한다. 또한, 네가티브 타입의 유기감광막을 이용하여 격벽을 형성할 경우, 값이 비싸고, 격벽의 크기 및 높이가 커지면, 감광막의 특성상 구조적으로 불안정하여 경우에 따라서 오버행 구조가 형성되지 않고, 쓰러지거나 인접 픽셀 간 단락을 일으키는 문제를 유발시킨다. 또한 감광막을 사용함으로써 선폭(CD; Critical dimension)을 최소화하는 데에 문제가 있다. 본 기술의 목적은, 절연막 및 격벽 형성방법을 개선하여 공정단계를 감소시켜 수율을 증가시키고, 선폭 축소의 한계를 극복하여 전체 활성영역을 증가할 수 있는 유기전계 발광소자의 제조방법을 제공하는데 있다 본 기술은, 투명 기판 위에 어느 한 방향으로 뻗어 있는 양전극층 패턴을 형성하는 단계; 상기 양전극층 패턴 상에 제1 실리콘산화막, 비피에스지(BPSG)막 및 제2 실리콘산화막을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 양전극층 패턴과 수직하는 방향을 가지는 제1 영역 위에 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 양전극층 패턴과 수평한 방향을 가지면서 상기 양전극층 패턴 사이의 제2 영역 위에 상기 제1 감광막 패턴보다 좁게 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 감광막 패턴을 마스크로 BOE 용액을 포함하는 식각용액을 이용하여 상기 제2 실리콘산화막을 식각하는 단계; 상기 제1 및 제2 감광막 패턴을 마스크로 상기 제2 실리콘산화막 및 비피에스지(BPSG)막을 함께 식각하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 감광막 패턴을 마스크로 상기 제2 실리콘산화막, 비피에스지(BPSG)막 및 제1 실리콘산화막을 함께 식각하되, 상기 제2 영역 상에는 상기 제1 실리콘산화막만 남도록 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자의 제조방법으로 구성되어 있다. 본 기술에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법에 의하면, 한 번의 식각공정을 통하여 절연막 및 격벽층을 형성함으로써 공정단계를 단순화하고, 수율을 향상할 수 있다. 또한, 감광막을 이용하지 않고 격벽을 형성함으로써 선폭 축소의 한계를 개선하여 활성영역을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.