일반기술

유기 ＥＬ 디스플레이 패널의 결함 개선 방법

본 기술은 유기 EL 디스플레이 패널의 결함 개선 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 EL 디스플레이 패널의 에이징 테스트 후 일시적 단락결함에 의한 화소불량이 발생될 경우 스캔라인을 순차적으로 선택하면서 선택된 스캔라인에 구동전압 이상의 전압을 데이터로 인가하는 과정을 반복함으로써 특정화소의 일시적 단락결함으로 인한 불량을 개선시킴으로써 화소의 다이오드 특성을 개선하고 수율을 향상시키도록 한 유기 EL 디스플레이 패널의 결함 개선 방법에 관한 것이다. 종래의 기술은 에이징 테스트를 수행한 후 화소에 일시적인 단락결함이 발생했을 경우 결함을 개선하지 않고 디스플레이 패널을 폐기처리하기 때문에 수율이 저하되는 문제점이 있다. 본 기술의 목적은, 유기 EL 디스플레이 패널의 에이징 테스트 후 일시적 단락결함에 의한 화소불량이 발생될 경우 스캔라인을 순차적으로 선택하면서 선택된 스캔라인에 구동전압 이상의 전압을 데이터로 인가하는 과정을 반복함으로써 특정화소의 일시적 단락결함으로 인한 불량을 개선시킴으로써 화소의 다이오드 특성을 개선하고 수율을 향상시키도록 한 유기 EL 디스플레이 패널의 결함 개선 방법을 제공함에 있다. 본 기술은 일시적 단락결함이 발생된 PM 방식의 유기 EL 디스플레이 패널에 있어서, 상기 유기 EL 디스플레이 패널의 스캔라인을 순차적으로 선택하는 제 1단계와, 상기 제 1단계에서 선택된 스캔라인으로 결함개선전압의 데이터값을 인가하는 제 2단계와, 상기 제 1단계와 제 2단계를 반복하여 마지막 스캔라인까지 순차적으로 선택한 후 결함 개선 상태를 판단하는 제 3단계와, 상기 제 3단계에서 결함이 개선되지 않은 경우 스캔라인의 선택유지시간을 증가시키고 결함개선전압을 증가시킨 후 제 1단계로 리턴되어 반복하는 제 4단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 패널의 결함 개선 방법으로 구성되어 있다. 본 기술은 유기 EL 디스플레이 패널의 에이징 테스트 후 일시적 단락결함에 의한 화소불량이 발생될 경우 스캔라인을 순차적으로 선택하면서 선택된 스캔라인에 구동전압 이상의 전압을 데이터로 인가하는 과정을 반복함으로써 특정화소의 일시적 단락결함으로 인한 불량을 개선시킴으로써 화소의 다이오드 특성을 개선하고 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.