일반기술

유기 ＥＬ 소자의 제조 방법

본 기술은 유기 EL 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 EL을 이용하여 디스플레이 패널을 제작할 때, 보조 전극을 이용하여 화소의 크기가 작아짐에 따라 증가하는 양극의 저항을 최소화할 수 있는 동시에, 전체적인 제조 공정을 간단히 할 수 있는 유기 EL 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 종래의 제조 방법에서는 양극과 보조 전극을 각각 형성하기 위해 2 단계의 포토리소그래피 공정이 별도로 진행되기 때문에, 각 포토리소그래피 공정 단계에서의 감광막 등의 오정렬로 인하여 양극과 보조 전극 간의 중첩 정도를 조절하는데 한계가 있었다. 따라서, 화소가 형성되는 활성 영역의 양극 상부에까지 보조 전극을 형성하게 되면, 활성 영역 내에서 양극과 보조 전극의 중첩 정도가 크게 되어 화소의 개구율이 낮아지고, 이에 따라, 휘도 등의 디스플레이 패널 특성이 저하되는 문제점이 발생하였다. 본 기술은, 단일 단계의 포토 리소그래피 공정을 통해, 화소의 개구율 저하없이 활성 영역 내에 위치하는 양극 위에까지 보조 전극을 형성함으로써, 화소의 크기가 작아짐에 따라 증가하는 양극의 저항을 최소화하도록 하는 유기 EL 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 기술은 투명 기판 위에 양극 형성 물질 및 보조 전극 형성 물질을 순차 적층하는 단계와, 상기 보조 전극 형성 물질 위에 감광막을 도포하는 단계와, 상기 감광막에 부분적으로 광량을 달리 노광하여 상기 감광막의 전체 두께가 노광된 제 1 부분, 상기 감광막이 노광되지 않은 제 2 부분 및 상기 감광막의 상부 일부 두께가 노광된 제 3부분을 형성하는 단계와, 상기 감광막을 현상하여 제 1 부분과 제 3 부분의 노광된 감광막이 제거된 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 1 감광막 패턴을 마스크로 보조 전극 형성 물질 및 양극 형성 물질을 선택 식각하는 단계와, 상기제 1 감광막 패턴을 애싱하여 화소에 대응하는 영역의 보조 전극 형성 물질을 노출하는 제 2 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 2 감광막 패턴을 마스크로 상기 보조 전극 형성 물질을 식각하는 단계를 포함하되, 상기 제 2 부분은 보조 전극과 대응하는 영역이고, 상기 제 3 부분은 화소에 대응하는 영역인 유기 EL 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 기술은, 보조 전극에 의해 화소의 개구율을 저하시키지 않으면서도, 양극의 저저항성을 완전히 실현할 수 있으며, 또한, 유기 EL 소자의 제조 공정 단계를 간략히 할 수 있으므로, 전체 제조 공정의 경제성 및 수율 향상에 크게 기여할 수 있다.