일반기술

유기 전계발광 표시 소자의 제조 방법

본 기술은 산소(Oxygen)와 수분(Moisture)에 대한 배리어 특성(Barrier characteristics)을 갖는 유기 전계발광 표시 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 종래 기술에 따른 필름 형 봉지 방식은 상기 열처리 시, 기판 위에 형성되어 있는 유기 EL 소자가 손상되는 것을 방지하기 위해 순간적으로 표면층의 온도가 700℃ 이상의 고온으로 상승시키기 때문에 배리어막의 전체를 고밀도 균질막으로 변화시키지 못하고 배리어막의 상부 표면의 일부 두께만을 변화시키는 문제가 있다. 이와 같이, 상기 배리어막이 상부 표면의 일부 두께만 고밀도 균질막으로 변화되면, 배리어막 양끝단부의 변화되지 않은 부분이 여전히 수분 및 산소 등의 투과할 수 있는 침투 통로로 제공되어 유기EL 소자를 열화시키는 문제가 있다. 본 기술의 목적은, 유기 EL 소자가 형성된 기판 위에 수분 및 산소의 투과를 방지하는 배리어막을 형성하되, 배리어막의 끝단부 일부 영역의 두께를 그 외 영역의 두께에 비해 얇게 형성함으로써, 배리어막의 결함을 제거하기 위한 순간적인 표면 열처리 공정 시, 배리어막의 최외각 표면을 모두 고밀도 균질막으로 변화시켜 외부의 수분 및 산소의 침투 통로를 완전히 차단하는 유기 전계발광 표시 소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다.본 기술은 유기 EL 소자가 형성된 기판 위에 실리콘 계열의 제1 배리어막을 형성하는 단계와, 상기 제1 배리어막 위에 상기 제1 배리어막의 끝단부의 일부분을 덮지 않도록 실리콘 계열의 제2 배리어막을 형성하는 단계 및 상기 제2 배리어막 및 상기 제2 배리어막으로 가려지지 않은 상기 제1 배리어막을 국부적으로 열처리하는 단계로 이루어져 있다. 본 기술은, 배리어막의 결함을 제거하기 위한 순간적인 표면 국부 열처리 공정 시, 전체적으로 서로 다른 두께를 가지는 배리어막으로 인하여 배리어막의 최외각 표면을 모두 고밀도 균질막으로 변화시켜 외부의 수분 및 산소 등의 침투 통로를 완전히 차단할 수 있다.따라서, 외부의 수분 및 산소 등의 침투를 차단하여 유기 EL 소자가 열화되는 것을 최소화할 수 있다.