일반기술

양면표시가 가능한 오엘이디 소자의 제조방법

본 기술은 양면표시가 가능한 오엘이디 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리콘기판의 양면에 상부발광형 오엘이디 소자를 제조하여, 하나의 기판으로 양면 모두에 정보표시가 가능하도록 하는 양면표시가 가능한 오엘이디 소자의 제조방법에 관한 것이다. 종래의 오엘이디 디스플레이 패널에 있어서 보조전극의 역할을 하는 크롬(Cr)이 저항 때문에 각 화소(pixel)간에 불균일한 발광이 일어날 가능성 있으며, 이로 인한 소비전력 상승의 원인이 되었다. 또한, 애노드(anode)역할을 하는 하부전극패턴은 일반적으로 투명전극으로서 ITO(Indium Tin Oxied)와 같은 물질을 이용하여 형성되는데, 이러한 ITO 물질은 거칠기(roughness)가 매우 심해 거친면의 꼭지점 부근에서 전계(electric field)가 집중되어 코로나 효과(Corona effect)가 발생될 우려가 있으며 이는 곧 소자의 불량을 야기하는 요인이 되기도 한다. 그리고, 종래에는 양면의 표시가 가능한 오엘이디 소자를 제조하기 위해서는 도 1에 도시된 오엘이디 패널 두장을 서로 붙여서 제조하였는데, 이 경우 오엘이디 소자의 두께가 크게 증가하게 되어 박형화에 어려움이 있었다. 본 기술의 목적은 리프트오프(lift off) 공정, 도금공정 및 CMP 공정을 이용하여 보조전극을 형성함으로써 배선저항을 낮추고 기판의 평탄화를 확보함과 동시에 소비전력을 줄이고, 동시에 기판의 거칠기(roughness)에 의한 소자불량을 줄일 수 있으며, 양면으로 하더라도 박형화가 가능한 양면표시가 가능한 오엘이디 소자의 제조방법을 제공하는데에 있다.본 기술의 양면표시가 가능한 오엘이디 소자의 제조방법은, 실리콘 기판의 제1면 상에 포토레지스터 패턴을 형성하는 단계, 포토레지스터 패턴을 식각마스크로 실리콘 기판을 식각하여 전극부를 형성하는 단계, 포토레지스터 패턴 및 전극부 상에 시드층을 형성하는 단계, 포토레지스터 패턴을 벗겨내는 단계(lift off), 전극부를 구리도금으로 채워 구리전극부를 형성하는 단계, 상기 단계에 의해 형성된 구조물 상에 통상의 오엘이디 제조방식으로 절연체와 분리체를 형성하고, 유기물층을 증착하고, 유기물층 상에 투명 상부전극층을 형성하는 단계, 실리콘 기판의 제2면에 상기의 단계를 다시 적용하는 단계, 및 제1면과 제2면에 투명소재의 봉지캡을 씌우는 단계로 구성되어 있다. 본 기술에 따르면, 리프트오프(lift off) 공정, 도금공정 및 CMP 공정을 이용하여 보조전극을 형성함으로써 배선저항을 낮추고 기판의 평탄화를 확보함과 동시에 소비전력을 줄이고, 동시에 기판의 거칠기(roughness)에 의한 소자불량을 줄일 수 있으며, 양면으로 하더라도 박형화가 가능하게 된다.