일반기술

유기 발광 소자의 제조 방법

본 기술은, 화소 개구부의 개구율을 보다 증가시켜 유기 발광 소자의 실질적인 발광 면적을 증가시킬 수 있게 하는 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 유기 발광 소자는 일반적으로, 전기적 절연이 가능한 물질로 이루어진 절연막 및 격벽을 양전극층이 형성된 기판 위에 순차 형성하고, 형성된 격벽의 오버행(overhang) 구조를 통해 유기 발광층 및 음전극층을 패터닝하여 제조된다. 종래 기술에서는, 상기 절연막 및 오버행 구조의 격벽을 각각 패터닝하기 위한 2 차례의 노광 공정에서, 각각의 노광 마스크를 별도로 얼라인해 상기 절연막 및 격벽을 패터닝할 필요가 있다. 이 때문에, 상기 2 차례의 노광 공정에서 각각 사용되는 2 종류의 노광 마스크에 대한 어느 정도의 얼라인 마진이 필요하며, 이러한 얼라인 마진 확보의 필요성 때문에 상기 절연막 및 격벽의 폭을 줄이는데 한계가 있다. 따라서, 상기 종래기술에 따르면, 상기 절연막 및 격벽의 폭을 줄여 상기 절연막에 의해 정의되는 화소 개구부의 개구율을 증가시키는데 한계가 있으며, 이에 따라, 유기 발광 소자의 실질적인 발광 면적을 증가시는데 한계가 있다. 본 기술의 목적은, 화소 개구부의 개구율을 보다 증가시켜 유기 발광 소자의 실질적인 발광 면적을 증가시킬 수 있게 하는 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.본 기술은, 기판 위에 줄무늬 형상의 복수의 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 복수의 제 1 전극이 형성된 기판 전면에 상변환 감광막을 형성하는 단계; 상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 제 1 영역을 정의하는 차광 영역과, 상기 복수의 제 1 전극 사이의 제 2 영역을 정의하는 반투광 영역과, 나머지 영역을 정의하는 투광 영역을 구비한 하프톤 마스크를 통해, 상기 상변환 감광막에 제 1 노광하는 단계; 상기 제 1 노광된 상변환 감광막을 제 1 현상하는 단계; 상기 상변환 감광막을 상변환하는 단계; 상기 제 1 노광 단계보다 작은 노광 에너지로 상기 상변환 감광막의 전면에 제 2 노광하는 단계; 및 상기 제 2 노광된 상변환 감광막을 제 2 현상하는 단계로 구성되어 있다. 본 기술에 따르면, 단일층의 상변환 감광막에 대한 단순화된 공정을 통해 일체화된 구조로 절연막 및 격벽을 형성할 수 있고, 화소 개구부의 개구율을 증가시켜 실질적인 발광 면적이 크게 증가된 유기 발광 소자를 제조할 수 있게 하는 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공할 수 있다. 따라서, 유기 발광 소자의 공정 단순화, 고해상도화 및 저소비전력화에 크게 기여할 수 있다.